在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，寧波丞達(dá)精機(jī)股份有限公司不斷書寫著創(chuàng)新的篇章。近日，公司在技術(shù)合作與核心產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域取得重大突破，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新方向，贏得矚目。
寧波丞達(dá)精機(jī)股份有限公司與中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所簽約，聯(lián)合成立了“半導(dǎo)體基體材料先進(jìn)激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室”，雙方開展深度合作。依托寧波材料所李琳院士領(lǐng)銜的激光極端制造研究中心及其高端人才、技術(shù)優(yōu)勢，聯(lián)合丞達(dá)精機(jī)，雙方將圍繞集成電路制造中的晶圓加工領(lǐng)域協(xié)同攻關(guān)，共同打造全球領(lǐng)先的先進(jìn)激光加工創(chuàng)新研發(fā)平臺。雙方攜手旨在攻克半導(dǎo)體基體材料核心加工工藝及裝備難題，實現(xiàn)相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化及推廣應(yīng)用，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提升自主可控能力注入強(qiáng)勁動力。
圖1半導(dǎo)體基體材料先進(jìn)激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室
此外，寧波丞達(dá)精機(jī)股份有限公司與大連理工大學(xué)康仁科教授團(tuán)隊聯(lián)合攻關(guān)的超精密研磨減薄機(jī)也成果斐然。作為半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵工藝裝備，該設(shè)備主要應(yīng)用于晶圓襯底材料研磨減薄以及封測階段晶圓的背面減薄。它通過對晶圓進(jìn)行高精度、低損傷的超精密減薄，實現(xiàn)晶圓厚度與平整度的精確控制，有效滿足先進(jìn)封裝對超薄晶圓的嚴(yán)苛要求。在當(dāng)前國內(nèi)晶圓背面減薄機(jī)市場主要被日本等國外企業(yè)壟斷的情況下，丞達(dá)精機(jī)與康仁科教授團(tuán)隊合作研發(fā)的超精密晶圓磨削系統(tǒng)穩(wěn)定實現(xiàn)了 12英寸硅晶圓磨削后 TTV＜1μm，表面粗糙度＜5nm，8 英寸碳化硅襯底磨削后 TTV＜2μm，表面粗糙度＜5nm 的技術(shù)目標(biāo)，設(shè)備性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先和國際先進(jìn)水平，為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在該領(lǐng)域爭得一席之地。
圖2 四種型號高精密晶圓研磨減薄機(jī)
值得一提的是，丞達(dá)精機(jī)憑借深厚的技術(shù)沉淀和高水平的合作團(tuán)隊，已成為中國唯一同時掌握激光改質(zhì)、剝離和研磨核心技術(shù)及裝備能力的公司。其研發(fā)的 “碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)” 更是展現(xiàn)出了強(qiáng)大的整機(jī)加工能力。大量實驗驗證表明，該系統(tǒng)相較于傳統(tǒng)線切割技術(shù)，在切割效率和材料損耗方面具有壓倒性優(yōu)勢。在切割效率上，晶錠切割時間大幅縮短，僅為傳統(tǒng)線切割的 20% 左右，目前 8 英寸碳化硅晶錠剝離速度已能控制在每片20分鐘以內(nèi)；材料損耗方面，損耗層厚度小于80μm，1mm 晶錠出片率大于 2.1 片。該系統(tǒng)可適配不同厚度和尺寸的SiC襯底材料，集成晶錠表面研磨減薄、激光改質(zhì)以及晶圓薄片完整剝離等全流程功能，實現(xiàn)自動化一體運作，極大地促進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。
圖3 碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)
圖4 剝離系統(tǒng)離散型方案（產(chǎn)能更優(yōu)）
圖5 剝離改質(zhì)區(qū)域表面結(jié)構(gòu)和形貌特征
公司始終秉持 “全鏈突圍、智破封鎖、鏈筑國芯” 的宏偉愿景，以 “突破國外技術(shù)封鎖，實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化” 為使命擔(dān)當(dāng)，憑借 “不畏艱難、勇攀高峰” 的創(chuàng)新精神，在半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)創(chuàng)新道路上砥礪前行。作為國家級高新技術(shù)企業(yè)，丞達(dá)精機(jī)深耕精密制造領(lǐng)域，建立了院士科技創(chuàng)新中心、博士科技工作站等科研機(jī)構(gòu)，累計獲得 70 余項授權(quán)專利和 20 余項軟件著作權(quán)，多款自主研發(fā)的半導(dǎo)體超精密切磨拋工藝設(shè)備、光學(xué)鏡頭全工藝設(shè)備成功實現(xiàn)進(jìn)口替代，市場占有率穩(wěn)居行業(yè)前列。未來，丞達(dá)精機(jī)將繼續(xù)依托產(chǎn)學(xué)研深度融合又是，持續(xù)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域攻堅克難，為推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量，引領(lǐng)行業(yè)邁向新的高度！
